| 型号： | NTLJD3119CTAG | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 4.6/4.1A 6WDFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| NTLJD3119CTAG PDF |  |
| 产品变化通告 | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.6A，2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 65 毫欧 @ 3.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 271pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 710mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | NTLJD3119CTAGOSDKR |